JY16M N وضع تعزيز القناة MOSFET الطاقة لتطبيق تبديل الطاقة

تفاصيل المنتج:

مكان المنشأ:	الصين
اسم العلامة التجارية:	JUYI
إصدار الشهادات:	ISO9001,CE
رقم الموديل:	JY16M

شروط الدفع والشحن:

الحد الأدنى لكمية:	50 قطعة (عينة متاحة)
الأسعار:	USD0.5-USD1/PC
تفاصيل التغليف:	جناح للتصدير
وقت التسليم:	تعتمد على كمية الطلب / قابل للتفاوض
شروط الدفع:	T / T ، ويسترن يونيون ، باي بال
القدرة على العرض:	10000pcs شهريا

مفصلة وصف المنتج

الاسم:	موسفيت الطاقة	النموذج رقم:	JY16M
النوع:	قناة N	جهد مصدر الصرف:	600 فولت
جهد مصدر البوابة:	± 30 فولت	تيار التصريف المستمر:	4A (Ta=25 درجة مئوية)
تيار التصريف النبضي:	16 أ	الحد الأقصى لتبديد الطاقة:	33 واط
اللون:	أسود	حالات العسر الشديد:	مربع
إبراز:	JY16M وضع تعزيز الموسفيت,وضع تعزيز الموسفيت في القناة N,تحويل الطاقة وضع تعزيز الموسفيت , N Channel mosfet enhancement mode , Power Switching mosfet enhancement mode

الوصف العام:

يستخدم JY16M أحدث تقنيات معالجة الخنادق لتحقيق الكثافة العالية للخلايا ويقلل من مقاومة التشغيل مع تصنيف الهولنج المتكرر العالي.هذه الميزات تجمع بينها لجعل هذا التصميم جهاز فعال للغاية وموثوق به للاستخدام في تطبيق تبديل الطاقة ومجموعة واسعة من التطبيقات الأخرى.

الخصائص:

● 600V / 4A ، RDS ((ON) = 2.6Ω@VGS = 10V
● التبديل السريع وتعافي الجسم العكسي
● حزمة ممتازة لتبديد الحرارة بشكل جيد

التطبيق:

● الإضاءة
● إمدادات الطاقة ذات الكفاءة العالية

وصف رقم التعريف:

JY16M N وضع تعزيز القناة MOSFET الطاقة لتطبيق تبديل الطاقة 0

القيم القصوى المطلقة ((Ta=25 درجة مئوية ما لم يذكر خلاف ذلك):

الرمز	المعلم		التصنيف	الوحدة
VDS	فولتاج مصدر الصرف		600	V
VGS	الجهد من مصدر البوابة		±30	V
أناد	التيار المستمر	Tc=25°C	4	أ
أناد	التيار المستمر	Tc=100°C	2.9	أ
أناد.م.	التيار التنفسي النبضي		16	أ
(ب)د	الحد الأقصى لتفريغ الطاقة		33	W
TجTSTG	نطاق درجة حرارة نقطة التقاطع وتخزين		-55~+150	°C
RΘJC	المقاومة الحرارية-الارتباط مع القضية		1.56	°C/W
Rإيه جي إيه	المقاومة الحرارية - التقاطع مع البيئة		62	°C/W

TO220F-3 مخطط الحزمة:

الرمز	م م م			INCH			الرمز	م م م			INCH
الرمز	MIN	الاسم	ماكس	MIN	الاسم	ماكس	الرمز	MIN	الاسم	ماكس	MIN	الاسم	ماكس
أ	4.40	4.57	4.70	0.173	0.180	0.185	Øp1	1.40	1.50	1.60	0.055	0.059	0.063
A1	1.27	1.30	1.33	0.050	0.051	0.052	e	2.54BSC			0.1BSC
A2	2.35	2.40	2.50	0.093	0.094	0.098	e1	5.08BSC			0.2BSC
ب	0.77	-	0.90	0.030	-	0.035	H1	6.40	6.50	6.60	0.252	0.256	0.260
ب2	1.23	-	1.36	0.048	-	0.054	(ل)	12.75	-	13.17	0.502	-	0.519
ج	0.48	0.50	0.52	0.019	0.020	0.021	L1	-	-	3.95	-	-	0.156
د	15.40	15.60	15.80	0.606	0.614	0.622	L2	250 ريف.			0.098REF.
D1	9.00	9.10	9.20	0.354	0.358	0.362	Øp	3.57	3.60	3.63	0.141	0.142	0.143
DEP	0.05	0.10	0.20	0.002	0.004	0.008	ق	2.73	2.80	2.87	0.107	0.110	0.113
E	9.70	9.90	10.10	0.382	0.389	0.398	Θ1	5°	7°	9°	5°	7°	9°
E1	-	8.70	-	-	0.343	-	Θ2	1°	3°	5°	1°	3°	5°
E2	9.80	10.00	10.20	0.386	0.394	0.401